[1]褚维群 郭炜.TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析[J].计算机技术与发展,2008,(02):223-225.
CHU Wei-qun,GUO Wei.Analysis for Sample by FIB in TEM[J].,2008,(02):223-225.
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TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析(
)
《计算机技术与发展》[ISSN:1006-6977/CN:61-1281/TN]
- 卷:
-
- 期数:
-
2008年02期
- 页码:
-
223-225
- 栏目:
-
应用开发研究
- 出版日期:
-
1900-01-01
文章信息/Info
- Title:
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Analysis for Sample by FIB in TEM
- 文章编号:
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1673-629X（2008）02-0223-03
- 作者:
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褚维群1; 2 郭炜1
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[1]上海交通大学微电子学院[2]上海贝尔阿尔卡特有限公司
- Author(s):
-
CHU Wei-qun; GUO Wei
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[1]Microelectronic School, Shanghai Jiaotong University[2]Alcatel Shanghai Bell Co., Ltd
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- 关键词:
-
TEM样品制备; 非晶化; 聚焦离子束
- Keywords:
-
TEM sample preparation; amorphous; foens ion beam
- 分类号:
-
TN405.985
- 文献标志码:
-
A
- 摘要:
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针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的“非晶化”影响进行分析和研究。在总结已有成果的基础上，得到一些新的突破：通过可信、简便的制样方法，可以直接观察到“非晶层”；可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度。通过一系列自主设计的实验，得到如下结果：离子束的能量对“非晶层”厚度的影像非常大；“非晶层”的厚度与切割时离子束的加速电压有关，与离子束电流及入射角度等基本无关
- Abstract:
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It has been reported that a sample prepared by ion beam milling has a sandwich structure＇ with amorphous on two sidewalls and crystal in the middle. In this paper, the sandwich structure of such a single crystal TEM sample was studied experimentally. A no
备注/Memo
- 备注/Memo:
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褚维群（1975-），女，上海人，硕士研究生，工程师，研究方向为集成电路设计与制造；郭炜，教授，主要研究方向为集成电路设计
更新日期/Last Update:
1900-01-01